Vishay
MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L (SIB404DK-T1-GE3)
Part Number: SIB404DK-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SIB404DK-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 12V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 3A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 800mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 2.5W (Ta), 13W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PowerPAK® SC-75-6L Single
- Корпус: PowerPAK® SC-75-6L
Цена по запросу