MOSFET N-CH 100V 35A TO252

MOSFET N-CH 100V 35A TO252 (SUD35N10-26P-T4GE3)

Part Number: SUD35N10-26P-T4GE3

Documents / Media: datasheets SUD35N10-26P-T4GE3

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 12A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2000pF @ 12V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: TO-252, (D-Pak)
  • Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Цена по запросу