MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8 (SI7810DN-T1-GE3)

Part Number: SI7810DN-T1-GE3

Documents / Media: datasheets SI7810DN-T1-GE3

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 5.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 1.5W (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PowerPAK® 1212-8
  • Корпус: PowerPAK® 1212-8

Цена по запросу