Vishay
MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO (SI4190ADY-T1-GE3)
Part Number: SI4190ADY-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SI4190ADY-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 15A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.8V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 67nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1970pF @ 50V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3W (Ta), 6W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-SO
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Цена по запросу