Vishay
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227 (FB180SA10)
Part Number: FB180SA10
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 108A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 380nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 10700pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 480W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Исполнение корпуса: SOT-227
- Корпус: SOT-227-4, miniBLOC
Цена по запросу