MOSFET N-CH 650V 36A TO247

MOSFET N-CH 650V 36A TO247 (TPH3205WSB)

Part Number: TPH3205WSB

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: -
  • Состояние детали: Not For New Designs
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: GaNFET (Gallium Nitride)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 22A, 8V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.6V @ 700µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 42nC @ 8V
  • Vgs (Max): ±18V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 400V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 125W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: TO-247
  • Корпус: TO-247-3

Цена по запросу