Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3 (SSM3J35CT,L3F)
Part Number: SSM3J35CT,L3F
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: π-MOSVI
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 50mA, 4V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
- Vgs (Max): ±10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 12.2pF @ 3V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 100mW (Ta)
- Рабочая температура: 150°C
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: CST3
- Корпус: SC-101, SOT-883
Цена по запросу