Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6 (SSM6J216FE,LF)
Part Number: SSM6J216FE,LF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: U-MOSVI
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 12V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 3.5A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 12.7nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1040pF @ 12V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 700mW (Ta)
- Рабочая температура: 150°C
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: ES6
- Корпус: SOT-563, SOT-666
Цена по запросу