Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3 (SSM3J15CT(TPL3))
Part Number: SSM3J15CT(TPL3)
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: π-MOSVI
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: -
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 9.1pF @ 3V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 100mW (Ta)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: CST3
- Корпус: SC-101, SOT-883
Цена по запросу