Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV (TPH1R712MD,L1Q)
Part Number: TPH1R712MD,L1Q
Documents / Media: datasheets TPH1R712MD,L1Q
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: U-MOSVI
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 30A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.2V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 182nC @ 5V
- Vgs (Max): ±12V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 10900pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 78W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-SOP Advance (5x5)
- Корпус: 8-PowerVDFN
Цена по запросу