Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM (SSM3J321T(TE85L,F))
Part Number: SSM3J321T(TE85L,F)
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: U-MOSV
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 3A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 640pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 700mW (Ta)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: TSM
- Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Цена по запросу