Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B (SSM6J501NU,LF)
Part Number: SSM6J501NU,LF
Documents / Media: datasheets SSM6J501NU,LF
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: U-MOSVI
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3 mOhm @ 4A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 29.9nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2600pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1W (Ta)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 6-UDFNB (2x2)
- Корпус: 6-WDFN Exposed Pad
Цена по запросу