Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B (TPC8115(TE12L,Q,M))
Part Number: TPC8115(TE12L,Q,M)
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: U-MOSIV
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 5A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.2V @ 200µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 115nC @ 5V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 9130pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1W (Ta)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-SOP (5.5x6.0)
- Корпус: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Цена по запросу