Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6 (SSM6P16FE(TE85L,F))
Part Number: SSM6P16FE(TE85L,F)
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Cut Tape (CT)
- Серия: π-MOSVI
- Состояние детали: Discontinued at Digi-Key
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: -
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
- Vgs (Max): ±10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 11pF @ 3V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 150mW (Ta)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: ES6
- Корпус: SOT-563, SOT-666
Цена по запросу