Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 4A UF6 (SSM6J51TUTE85LF)
Part Number: SSM6J51TUTE85LF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Cut Tape (CT)
- Серия: U-MOSIV
- Состояние детали: Discontinued at Digi-Key
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 12V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 2.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 2A, 2.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1700pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 500mW (Ta)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: UF6
- Корпус: 6-SMD, Flat Leads
Цена по запросу