Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK (TK9P65W,RQ)
Part Number: TK9P65W,RQ
Documents / Media: datasheets TK9P65W,RQ
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: DTMOSIV
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560 mOhm @ 4.6A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 350µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 700pF @ 300V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 80W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: DPAK
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Цена по запросу