MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK (TK14G65W5,RQ)

Part Number: TK14G65W5,RQ


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: DTMOSIV
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 690µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 300V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 130W (Tc)
  • Рабочая температура: 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: D2PAK
  • Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Цена по запросу