Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM (SSM3K318R,LF)
Part Number: SSM3K318R,LF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: U-MOSIV
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107 mOhm @ 2A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.8V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 235pF @ 30V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1W (Ta)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: SOT-23F
- Корпус: SOT-23-3 Flat Leads
Цена по запросу