Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247 (TK39N60W5,S1VF)
Part Number: TK39N60W5,S1VF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: DTMOSIV
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74 mOhm @ 19.4A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 135nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 4100pF @ 300V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 270W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-247
- Корпус: TO-247-3
Цена по запросу