MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB

MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB (TK25E60X,S1X)

Part Number: TK25E60X,S1X

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: DTMOSIV-H
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 300V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 180W (Tc)
  • Рабочая температура: 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: TO-220
  • Корпус: TO-220-3

Цена по запросу