Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 525V 5A DPAK-3 (TK5P53D(T6RSS-Q))
Part Number: TK5P53D(T6RSS-Q)
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 525V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.4V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 540pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 80W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: D-Pak
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Цена по запросу