Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 10A DPAK-3 (TK10S04K3L(T6L1,NQ)
Part Number: TK10S04K3L(T6L1,NQ
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: U-MOSIV
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 40V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 410pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 25W (Tc)
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: DPAK+
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Цена по запросу