Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6 (SSM6K202FE,LF)
Part Number: SSM6K202FE,LF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 1.5A, 4V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
- Vgs (Max): ±12V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 270pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 500mW (Ta)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: ES6 (1.6x1.6)
- Корпус: SOT-563, SOT-666
Цена по запросу