Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B (TPC8018-H(TE12LQM))
Part Number: TPC8018-H(TE12LQM)
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 9A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.3V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2265pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1W (Ta)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-SOP (5.5x6.0)
- Корпус: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Цена по запросу