Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 20A TO-220SIS (TK20A25D,S5Q(M)
Part Number: TK20A25D,S5Q(M
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: π-MOSVII
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 250V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2550pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 45W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-220SIS
- Корпус: TO-220-3 Full Pack
Цена по запросу