Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.8A VESM (SSM3K56MFV,L3F)
Part Number: SSM3K56MFV,L3F
Documents / Media: datasheets SSM3K56MFV,L3F
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: U-MOSVII-H
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 55pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 150mW (Ta)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: VESM
- Корпус: SOT-723
Цена по запросу