MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON (TPN1110ENH,L1Q)

Part Number: TPN1110ENH,L1Q

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: U-MOSVIII-H
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 200V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114 mOhm @ 3.6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 200µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 600pF @ 100V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 700mW (Ta), 39W (Tc)
  • Рабочая температура: 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Корпус: 8-PowerVDFN

Цена по запросу