Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP (TPH1110ENH,L1Q)
Part Number: TPH1110ENH,L1Q
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: U-MOSVIII-H
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 200V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114 mOhm @ 3.6A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 200µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 600pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-SOP Advance (5x5)
- Корпус: 8-PowerVDFN
Цена по запросу