MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON (TPN5900CNH,L1Q)

Part Number: TPN5900CNH,L1Q


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: U-MOSVIII-H
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 150V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 4.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 200µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 600pF @ 75V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 700mW (Ta), 39W (Tc)
  • Рабочая температура: 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Корпус: 8-PowerVDFN

Цена по запросу