Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 60V 22A 8-SOP ADV (TPH7R506NH,L1Q)
Part Number: TPH7R506NH,L1Q
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: U-MOSVIII-H
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 11A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 300µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2320pF @ 30V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-SOP Advance (5x5)
- Корпус: 8-PowerVDFN
Цена по запросу