Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 8A IPAK (TK8Q60W,S1VQ)
Part Number: TK8Q60W,S1VQ
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: DTMOSIV
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 4A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.7V @ 400µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 18.5nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 570pF @ 300V
- Особенности полевого транзистора: Super Junction
- Рассеивание мощности (Макс): 80W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: I-PAK
- Корпус: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Цена по запросу