Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS (TK12A60W,S4VX)
Part Number: TK12A60W,S4VX
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: DTMOSIV
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 5.8A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.7V @ 600µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 890pF @ 300V
- Особенности полевого транзистора: Super Junction
- Рассеивание мощности (Макс): 35W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-220SIS
- Корпус: TO-220-3 Full Pack
Цена по запросу