Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA (CSD25211W1015)
Part Number: CSD25211W1015
Documents / Media: datasheets CSD25211W1015
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: NexFET™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 1.5A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
- Vgs (Max): -6V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 570pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 6-DSBGA (1x1.5)
- Корпус: 6-UFBGA, DSBGA
Цена по запросу