MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC (TPS1101D)

Part Number: TPS1101D

Documents / Media: datasheets TPS1101D

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 15V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 11.25nC @ 10V
  • Vgs (Max): +2V, -15V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 791mW (Ta)
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 8-SOIC
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

133 р.