MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK

MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK (CSD18536KTTT)

Part Number: CSD18536KTTT

Documents / Media: datasheets CSD18536KTTT

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: NexFET™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 279A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 11430pF @ 30V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 375W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: DDPAK/TO-263-3
  • Корпус: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

314 р.