MOSFET N-CH 100V 50 8SON

MOSFET N-CH 100V 50 8SON (CSD19534Q5AT)

Part Number: CSD19534Q5AT

Documents / Media: datasheets CSD19534Q5AT

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: NexFET™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1 mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1680pF @ 50V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 8-VSONP (5x6)
  • Корпус: 8-PowerTDFN

54 р.