MOSFET

MOSFET (STF7N60DM2)

Part Number: STF7N60DM2

Documents / Media: datasheets STF7N60DM2

Технические характеристики:

  • Упаковка: -
  • Серия: MDmesh™ DM2
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.75V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 324pF @ 100V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 25W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: TO-220FP
  • Корпус: TO-220-3 Full Pack

Цена по запросу