MOSFET N-CH 80V 110A TO-220 (STP110N8F6)

Part Number: STP110N8F6


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: STripFET™ F6
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 80V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 55A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 9130pF @ 40V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 200W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: TO-220
  • Корпус: TO-220-3

Цена по запросу