STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 (STW11NB80)
Part Number: STW11NB80
Documents / Media: datasheets STW11NB80
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: PowerMESH™
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 800V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 5.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 190W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-247-3
- Корпус: TO-247-3
Цена по запросу