STMicroelectronics
MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2 (STH110N7F6-2)
Part Number: STH110N7F6-2
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: STripFET™ F6
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 68V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 55A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 5850pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 176W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: H2Pak-2
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Цена по запросу