STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 28A (STW50N65DM2AG)
Part Number: STW50N65DM2AG
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87 mOhm @ 19A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V
- Vgs (Max): ±25V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3200pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 300W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-247
- Корпус: TO-247-3
6 р.