STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 4.2A D2PAK (STB5N62K3)
Part Number: STB5N62K3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: SuperMESH3™
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 620V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2.1A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 50µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 680pF @ 50V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 70W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: D2PAK
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Цена по запросу