MOSFET N-CH 600V 7A IPAK

MOSFET N-CH 600V 7A IPAK (STU8NM60ND)

Part Number: STU8NM60ND

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: FDmesh™ II
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 3.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 560pF @ 50V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 70W (Tc)
  • Рабочая температура: 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: I-PAK
  • Корпус: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Цена по запросу