MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220 (STP9NM60N)

Part Number: STP9NM60N


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: MDmesh™ II
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745 mOhm @ 3.25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 452pF @ 50V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 70W (Tc)
  • Рабочая температура: 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: TO-220AB
  • Корпус: TO-220-3

78 р.