STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A (STW45N60DM2AG)
Part Number: STW45N60DM2AG
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 17A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V
- Vgs (Max): ±25V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 250W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-247
- Корпус: TO-247-3
Цена по запросу