MOSFET N-CH 600V 2A IPAK

MOSFET N-CH 600V 2A IPAK (STD2HNK60Z-1)

Part Number: STD2HNK60Z-1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: SuperMESH™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 Ohm @ 1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 50µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 280pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 45W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: I-PAK
  • Корпус: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

21 р.