MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

MOSFET N-CH 600V 1A DPAK (STD1NK60T4)

Part Number: STD1NK60T4

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: SuperMESH™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.7V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 156pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 30W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: DPAK
  • Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

1 р.