MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK

MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK (STI23NM60N)

Part Number: STI23NM60N

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: MDmesh™ II
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2050pF @ 50V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 150W (Tc)
  • Рабочая температура: 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: I2PAK
  • Корпус: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Цена по запросу