STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT (STLD200N4F6AG)
Part Number: STLD200N4F6AG
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 40V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 75A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 172nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 10700pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 158W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PowerFlat™ (5x6) Dual Side
- Корпус: 8-PowerWDFN
Цена по запросу