MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6 (STL110N10F7)

Part Number: STL110N10F7


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: DeepGATE™, STripFET™ VII
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 5117pF @ 50V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 136W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PowerFlat™ (5x6)
  • Корпус: 8-PowerVDFN

Цена по запросу